| 型号： | MMDT4146-7-F | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANSISTOR COMP PAIR 40V SOT363 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| MMDT4146-7-F PDF |  |
| 产品变化通告 | Encapsulate Change 09/July/2007 Wire Change 16/Sept/2008 |
| 其它图纸 | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 120 @ 2mA，1V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 频率 - 转换 | 300MHz，250MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1576 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MMDT4146-FDITR |